授权公布号:CN110018789B
动态适配NAND的Tr和Tprom时间的方法、装置及存储介质
有效
申请
2019-03-26
申请公布
2019-07-16
授权
2022-03-25
预估到期
2039-03-26
| 申请号 | CN201910232073.6 |
| 申请日 | 2019-03-26 |
| 申请公布号 | CN110018789A |
| 申请公布日 | 2019-07-16 |
| 授权公布号 | CN110018789B |
| 授权公告日 | 2022-03-25 |
| 分类号 | G06F3/06 |
| 分类 | 计算;推算;计数; |
| 申请人名称 | 记忆科技(深圳)有限公司 |
| 申请人地址 | 广东省深圳市南山区蛇口街道蛇口后海大道东角头厂房D14/F、D24/F、D15/F |
专利法律状态
2022-03-25
授权
状态信息
授权
2019-07-16
公布
状态信息
公布
摘要
本发明公开了一种动态适配NAND的Tr和Tprom时间的方法、装置及存储介质,方法包括:下发读写描述符;通过定时器统计对应的读写时间;判断读写操作是否正常完成;若未正常完成,则动态计算适配时间,并将适配时间配置到等待寄存器;若正常完成,计算读写时间与基准值的偏差是否满足要求;在满足要求时,执行下发读写描述符步骤;在不满足要求时,则动态计算适配时间,并将适配时间配置到等待寄存器。本方案通过获取实际的读写时间,然后更加准确的动态适配NAND的Tr和Tprom时间,使得不会出现NAND因环境原因产生的Tr和Tprom时间的改变,而导致的SSD读写性能下降的情况,提高了NAND的利用率,有效提升了SSD的读写性能。


