DRAM芯片老化测试设备、方法、计算机设备及存储介质

授权公布号：CN111209152B

有效

申请

2020-01-10

申请公布

2020-05-29

授权

2023-08-08

预估到期

2040-01-10

申请号	CN202010029257.5
申请日	2020-01-10
申请公布号	CN111209152A
申请公布日	2020-05-29
授权公布号	CN111209152B
授权公告日	2023-08-08
分类号	G06F11/22
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	记忆科技（深圳）有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区蛇口街道蛇口后海大道东角头厂房D14/F、D24/F、D15/F

专利法律状态

2023-08-08 授权

状态信息

授权

2020-06-23 实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G06F11/22；申请日:20200110

2020-05-29 公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种DRAM芯片老化测试设备、方法、计算机设备及存储介质，设备包括用于提供环境温度控制的老化柜，及连接并控制所述老化柜的通信控制模块，以及用于放置被测试DRAM芯片的测试板，所述测试板包括有用于测试DRAM芯片的SSD主控模块，所述SSD主控模块通过高速DRAM接口连接多个DRAM芯片进行测试。本发明通过在测试板上使用SSD主控模块来同时连接多个DRAM芯片进行老化测试，在保证单个DRAM芯片的测试效率不受影响的前提下，大大提高了DRAM芯片老化测试设备的同测数量，进而提高了DRAM芯片老化测试的效率。