授权公布号:CN114685811B
一种PEDOT材料、量子点发光二极管及制备方法
有效
申请
2020-12-29
申请公布
2022-07-01
授权
2024-03-12
预估到期
2040-12-29
| 申请号 | CN202011602764.X |
| 申请日 | 2020-12-29 |
| 申请公布号 | CN114685811A |
| 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 授权公布号 | CN114685811B |
| 授权公告日 | 2024-03-12 |
| 分类号 | C08J3/00;C08J5/18;C08L65/00;D01F6/74;H10K50/15;H10K50/115;H10K85/10;H10K71/00 |
| 分类 | 有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物; |
| 申请人名称 | TCL科技集团股份有限公司 |
| 申请人地址 | 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦 |
专利法律状态
2024-03-12
授权
状态信息
授权
2022-07-19
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):C08J3/00;申请日:20201229
2022-07-01
公布
状态信息
公布
摘要
本发明公开一种PEDOT材料、量子点发光二极管及制备方法,所述PEDOT材料的制备方法包括:将PEDOT:PSS与聚丙烯腈纳米纤维混合,得到PEDOT:PSS结合于聚丙烯腈纳米纤维表面的混合物;将混合物与酸混合,PSS和聚丙烯腈纳米纤维发生水解反应,PEDOT在聚丙烯腈纳米纤维表面重结晶并从水溶液中析出,得到PEDOT材料。利用高结晶度的聚丙烯腈纳米纤维作为牺牲模板诱导制备得到高结晶度的PEDOT材料。一方面降低PSS的含量,另一方面提高PEDOT分子链聚集的结晶度,从而提高PEDOT成膜后的导电率。采用该PEDOT材料作为空穴传输材料,可以提高空穴传输层的导电率,从而提高器件的发光效率。


