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公司信息商标信息专利信息
授权公布号:CN113943410B
量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管
有效
申请
2020-07-17
申请公布
2022-01-18
授权
2024-02-06
预估到期
2040-07-17
申请号 CN202010693073.9
申请日 2020-07-17
申请公布号 CN113943410A
申请公布日 2022-01-18
授权公布号 CN113943410B
授权公告日 2024-02-06
分类号 C08F292/00;C08F222/14;C08F2/48;C08J5/18;C08J7/00;C09K11/02;C09K11/06;C09K11/88;H10K50/115;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;CN105185918A,2015.12.23;CN108129661A,2018.06.08;CN108977195A,2018.12.11;CN109935710A,2019.06.25;US2016011506A1,2016.01.14;US2019153171A
分类 有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物;
申请人名称 TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

专利法律状态

2024-02-06 授权
状态信息
授权
2022-02-08 实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):C08F292/00;申请日:20200717
2022-01-18 公布
状态信息
公布

摘要

本发明属于量子点技术领域,具体涉及一种量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管。该制备方法包括如下步骤:提供含有量子点、聚合单体和引发剂的混合溶液;其中,所述量子点表面结合有巯基配体,所述巯基配体含有至少两个巯基,所述聚合单体含烯基;将所述量子点溶液沉积在基板上,然后进行紫外光照处理和退火处理,得到所述量子点薄膜。该制备方法可以提高量子点基体材料之间结合力,增加量子点薄膜的膜层均匀性和稳定性,这样的制备方法得到的量子点薄膜用于量子点发光二极管可以提高器件的发光性能和稳定性。