一种量子点发光二极管及其制备方法

授权公布号：CN114267799B

一种量子点发光二极管及其制备方法

有效

申请

2020-09-16

申请公布

2022-04-01

授权

2024-02-20

预估到期

2040-09-16

申请号	CN202010972714.4
申请日	2020-09-16
申请公布号	CN114267799A
申请公布日	2022-04-01
授权公布号	CN114267799B
授权公告日	2024-02-20
分类号	H10K50/115;H10K50/155;H10K71/12
分类	基本电气元件;
申请人名称	TCL科技集团股份有限公司
申请人地址	广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

专利法律状态

2024-02-20 授权

状态信息

授权

2022-04-19 实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L51/50；申请日:20200916

2022-04-01 公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，所述空穴传输层包括PEDOT:PSS和掺杂于所述PEDOT:PSS中的极性有机化合物。本发明中，由于极性有机化合物具有高介电常数，会在PEDOT与PSS之间产生一种屏蔽效应，从而降低PEDOT主链上的载流子与PSS之间的静电作用，也提高载流子在PEDOT主链上的传输速度。