本发明涉及压敏陶瓷添加剂、压敏陶瓷材料、压敏陶瓷及制备方法、压敏电阻及制备方法、电阻元件，属于压敏电阻材料技术领域。本发明的用于ZnO压敏陶瓷的添加剂，主要由以下原料经过烧结制成：Gd2O3、Bi2O3和Sb2O3。本发明通过添加剂烧结工艺，可优化ZnO压敏陶瓷材料的微观结构及均匀性。ZnO压敏电阻的晶粒分布效应在能量吸收能力中起着主导作用，不均匀的晶粒分布、以及高气孔率会导致漏电流不均匀和热量集中，从而降低能量吸收能力。通过烧结添加剂，降低了原料表面能，使粒径分布更均匀，密度更大，进而提高ZnO压敏电阻的能量吸收能力，本发明的用于ZnO压敏陶瓷的添加剂制备的ZnO压敏电阻的能量吸收能力可达290J/cm3。