授权公布号:CN113346763B
一种多晶硅还原炉供电系统及其控制方法
有效
申请
2021-06-24
申请公布
2021-09-03
授权
2021-12-21
预估到期
2041-06-24
| 申请号 | CN202110701697.5 |
| 申请日 | 2021-06-24 |
| 申请公布号 | CN113346763A |
| 申请公布日 | 2021-09-03 |
| 授权公布号 | CN113346763B |
| 授权公告日 | 2021-12-21 |
| 分类号 | H02M5/12;G05F1/66;C01B33/021 |
| 分类 | 发电、变电或配电; |
| 申请人名称 | 四川英杰电气股份有限公司 |
| 申请人地址 | 四川省德阳市金沙江西路686号 |
专利法律状态
2021-12-21
授权
状态信息
授权
2021-11-05
著录事项变更
状态信息
著录事项变更;IPC(主分类):H02M5/12;变更事项:发明人;变更前:谭兵 催连润 曹进;变更后:谭兵 崔连润 曹进
2021-09-21
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H02M5/12;申请日:20210624
2021-09-03
公布
状态信息
公布
摘要
本发明涉及一种多晶硅还原炉供电系统及其控制方法,对硅芯进行击穿,并对硅芯进行供电维持加热,包括主变压器、输出调节单元、启动击穿单元、功率调节单元,且所述启动击穿单元至少包括两组;其中,主变压器的输出端与所述功率调节单元、至少两组启动击穿单元的输入端电气连接;至少两组启动击穿单元的输出端通过输出调节单元与硅芯电气连接,经隔离升压变压器对硅芯进行击穿;功率调节单元的输出端通过输出调节单元与硅芯电气连接,用于对击穿后的硅芯进行供电维持加热。本发明主要提高了供电系统的稳定性,节省了对硅芯的高压击穿时间和降低多晶硅还原炉供电系统的整体成本,提高了多晶硅的生产效率。


