授权公布号:CN103238213B
倾斜裸芯堆叠体
有效
申请
2012-04-18
申请公布
2013-08-07
授权
2016-03-16
预估到期
2032-04-18
| 申请号 | CN201280002479.1 |
| 申请日 | 2012-04-18 |
| 申请公布号 | CN103238213A |
| 申请公布日 | 2013-08-07 |
| 授权公布号 | CN103238213B |
| 授权公告日 | 2016-03-16 |
| 分类号 | H01L25/065;H01L23/488;H01L23/31 |
| 分类 | 基本电气元件; |
| 申请人名称 | 晟碟半导体(上海)有限公司 |
| 申请人地址 | 上海市闵行区江川东路388号 |
专利法律状态
2016-03-16
授权
状态信息
授权
2013-09-04
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 25/065申请日:20120418
2013-08-07
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体装置包括:基板;和堆叠在基板上方的至少两组半导体裸芯。每组半导体裸芯至少包括底部半导体裸芯和顶部半导体裸芯。每个半导体裸芯包括沿每个半导体裸芯的第一边排列的至少一个键合垫。至少两组半导体裸芯包括下置的半导体裸芯组和上置的半导体裸芯组。下置组的底部半导体裸芯设置于基板上且上置组的底部半导体裸芯直接设置于下置组的顶部半导体裸芯上。在每个组内,顶部半导体裸芯的第一边在第一方向从底部半导体裸芯的第一边偏置了组偏置长度。上置的半导体裸芯组的底部半导体裸芯的第一边在第一方向从下置组的底部半导体裸芯的第一边平移了平移长度Lshift。下置组的组偏置长度Lgoffset大于或等于上置组的平移长度Lshift。


