授权公布号:CN106469657B
具有间隔体层的半导体装置、其形成方法和间隔体层带
有效
申请
2015-08-14
申请公布
2017-03-01
授权
2020-03-31
预估到期
2035-08-14
| 申请号 | CN201510500659.8 |
| 申请日 | 2015-08-14 |
| 申请公布号 | CN106469657A |
| 申请公布日 | 2017-03-01 |
| 授权公布号 | CN106469657B |
| 授权公告日 | 2020-03-31 |
| 分类号 | H01L21/50 |
| 分类 | 基本电气元件; |
| 申请人名称 | 晟碟半导体(上海)有限公司 |
| 申请人地址 | 上海市闵行区江川东路388号 |
专利法律状态
2020-03-31
授权
状态信息
授权
2017-03-29
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/50申请日:20150814
2017-03-01
公布
状态信息
公布
摘要
公开了一种半导体装置,以及其制造方法和间隔体层带。该半导体装置和基板面板上的其他半导体装置一起被批量处理,每个半导体装置形成于基板面板中的封装体轮廓上。由间隔体层带施加间隔体到每个封装体轮廓。在间隔体层带中定义间隔体,而后通过间隔体层带上的离散量的粘接剂将间隔体层压到基板面板上。


