本发明涉及一种基于错误模式的闪存寿命测试方法，包括以下步骤：抽取样本闪存，将样本闪存芯片与闪存测试系统连接；向所述闪存中写入加速磨损的测试图形或激发错误的测试图形；读取样本闪存中的数据，记录原始错误比特率，将所述原始错误比特率与样本闪存的ECC纠错能力进行对比；当原始错误比特率小于ECC纠错能力时，则对样本闪存芯片重复进行读写操作，否则，证明样本闪存已坏，样本闪存的寿命为擦写操作执行次数。本发明结合氧化层退化以及现有闪存芯片工艺制造特点，采用特定的基于错误模式的高效闪存测试图形，加速闪存芯片磨损、激发闪存芯片内部单元固有的缺陷，从而实现快速的闪存检测。