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公司信息商标信息专利信息
授权公布号:CN110187828B
NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存
有效
申请
2019-04-12
申请公布
2019-08-30
授权
2023-03-28
预估到期
2039-04-12
申请号 CN201910295421.4
申请日 2019-04-12
申请公布号 CN110187828A
申请公布日 2019-08-30
授权公布号 CN110187828B
授权公告日 2023-03-28
分类号 G06F3/06
分类 计算;推算;计数;
申请人名称 深圳市金泰克半导体有限公司
申请人地址 广东省深圳市坪山区龙田街道长方照明工业厂区厂房B一、四层

专利法律状态

2023-03-28 授权
状态信息
授权
2019-08-30 公布
状态信息
公布

摘要

本申请涉及一种NAND闪存的垃圾回收方法和一种NAND闪存,所述NAND闪存的待回收数据块分为多个待读取子数据块,每个待读取子数据块与一个通道相对应,每个待读取子数据块中存储着有效数据或无效数据,不同待回收数据块的同一位置的待读取子数据块对应相同的通道;所述NAND闪存包括:多个SRAM,每个SRAM与一个所述通道相对应,用于读取对应通道的待读取子数据块的数据,控制器,用于控制所述SRAM对数据的读/写;所述垃圾回收方法包括:对于当前待回收数据块,所述SRAM读取对应通道的待读取子数据块的有效数据。本发明可以提高NAND闪存垃圾回收的效率。