授权公布号:CN110187828B
NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存
有效
申请
2019-04-12
申请公布
2019-08-30
授权
2023-03-28
预估到期
2039-04-12
| 申请号 | CN201910295421.4 |
| 申请日 | 2019-04-12 |
| 申请公布号 | CN110187828A |
| 申请公布日 | 2019-08-30 |
| 授权公布号 | CN110187828B |
| 授权公告日 | 2023-03-28 |
| 分类号 | G06F3/06 |
| 分类 | 计算;推算;计数; |
| 申请人名称 | 深圳市金泰克半导体有限公司 |
| 申请人地址 | 广东省深圳市坪山区龙田街道长方照明工业厂区厂房B一、四层 |
专利法律状态
2023-03-28
授权
状态信息
授权
2019-08-30
公布
状态信息
公布
摘要
本申请涉及一种NAND闪存的垃圾回收方法和一种NAND闪存,所述NAND闪存的待回收数据块分为多个待读取子数据块,每个待读取子数据块与一个通道相对应,每个待读取子数据块中存储着有效数据或无效数据,不同待回收数据块的同一位置的待读取子数据块对应相同的通道;所述NAND闪存包括:多个SRAM,每个SRAM与一个所述通道相对应,用于读取对应通道的待读取子数据块的数据,控制器,用于控制所述SRAM对数据的读/写;所述垃圾回收方法包括:对于当前待回收数据块,所述SRAM读取对应通道的待读取子数据块的有效数据。本发明可以提高NAND闪存垃圾回收的效率。


