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公司信息专利信息
授权公布号:CN110364318B
高频电阻器与高频电阻器的制造方法
有效
申请
2018-03-26
申请公布
2019-10-22
授权
2021-08-17
预估到期
2038-03-26
申请号 CN201810252330.8
申请日 2018-03-26
申请公布号 CN110364318A
申请公布日 2019-10-22
授权公布号 CN110364318B
授权公告日 2021-08-17
分类号 H01C7/00;H01C7/18;H01C1/14;H01C17/06;H01G4/40
分类 基本电气元件;
申请人名称 国巨电子(中国)有限公司
申请人地址 江苏省苏州市新区竹园路10号

专利法律状态

2021-08-17 授权
状态信息
授权
2019-11-15 实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效IPC(主分类):H01C 7/00
2019-10-22 公布
状态信息
公布

摘要

一种高频电阻器与高频电阻器的制造方法。所述高频电阻器包含基材、电阻层、第一电极层、第二电极层、第一介电层以及第二介电层。在所述制造方法中,首先提供基材。接着,形成电阻层于基材上表面上。然后,形成第一电极层和第二电极层。第一电极层的第一电极端部覆盖电阻层的端部,第一电极层的第二电极端部覆盖基材下表面的第一部分。第二电极层的第三电极端部覆盖所述电阻层的另一端部,第二电极层的第四电极端部覆盖基材下表面的第二部分。然后,形成第一介电层和第二介电层于第一电极层和第二电极层之间。本发明的高频电阻器在基材的上表面和下表面上分别形成电阻和电容,充分地利用高频电阻器本身的有效体积,降低制造的成本。