本发明属于陶瓷制品技术领域，具体公开一种拼接陶瓷及其制备方法与应用。本发明的拼接陶瓷包括第一烧结体和第二烧结体；所述第一烧结体为含有导电相的氧化锆基导电陶瓷；所述导电相包括TiC、TiCN、TiN中的至少一种；所述第二烧结体为氧化锆陶瓷。本发明通过将一体成型坯体进行低温预氧化处理，部分导电相被氧化成TiO2，这部分TiO2作为导电陶瓷与普通氧化锆陶瓷拼接的中间介质，实现了导电陶瓷与普通氧化锆陶瓷的无缝拼接，所得到的拼接陶瓷中导电陶瓷部分电阻率达10‑3Ω·m‑10‑7Ω·m，拼接界面清晰，界面强度高达1000MPa以上，同时满足终端客户对导电性和结构件强度的要求。