本发明公开了一种化合物薄膜及其制备方法，涉及薄膜制备技术领域，本发明的化合物薄膜制备方法，包括：在衬底上磁控溅射形成单质薄膜层；将形成有单质薄膜层的衬底置于真空环境，向真空环境通入反应气体和氩气的混合气体对单质薄膜层进行第一电感耦合等离子体离子化，使得单质薄膜层转化为化合物薄膜层；向真空环境中通入氩气和氧气的混合气体对化合物薄膜层进行第二电感耦合等离子体离子化，氧气离子化形成的氧离子与化合物薄膜层表面的正电荷中和反应以使化合物薄膜层表面光洁，得到衬底上的表面光洁的化合物薄膜。本发明提供的化合物薄膜及其制备方法，能够中和薄膜上的正电荷，从而提高薄膜表面的光洁度。