本发明公开了封装体切割断线实现堆叠IC不良品降级的方法，包括封装外形图纸和内部焊线图纸，IC，die，金属线，刀片，划片机，IC具有多层结构，通过测试判定所测的IC内部多层结构中出现的问题层die；确定切割刀的下刀位置并且设定参数，为了切割精度控制要求，使用切割晶圆的划片机，将需要切割的IC放在划片机带有真空吸附的切割盘上；切割完的IC颗粒，可通过划片机里面的清洗吹干，清洗吹干后，测试剩余die，剩余die未出现问题的IC作为降级品使用；上述技术方案是通过物理损伤隔离法将报废IC降级使用，增加收益，减少浪费。