用于制造半导体装置的方法

授权公布号：CN102054704B

用于制造半导体装置的方法

有效

申请

2010-04-30

申请公布

2011-05-11

授权

2015-03-25

预估到期

2030-04-30

申请号	CN201010169713.2
申请日	2010-04-30
申请公布号	CN102054704A
申请公布日	2011-05-11
授权公布号	CN102054704B
授权公告日	2015-03-25
分类号	H01L21/336
分类	基本电气元件;
申请人名称	SK海力士半导体（中国）有限公司
申请人地址	江苏省无锡高新区综合保税区K7地块

专利法律状态

2020-04-07 专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):H01L 21/336；专利号:ZL2010101697132；登记生效日:20200319；变更事项:专利权人；变更前权利人:海力士半导体有限公司；变更后权利人:SK海力士半导体(中国)有限公司；变更事项:地址；变更前权利人:韩国京畿道利川市；变更后权利人:江苏省无锡高新区综合保税区K7地块

2015-03-25 发明专利权授予

状态信息

授权

2012-11-21 实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L 21/336；申请日:20100430

2011-05-11 发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

一种用于制造半导体装置的方法包括：使用硬掩模层作为阻障层来蚀刻半导体基片以形成限定出多个有源区域的沟槽；形成间隙填充层以对该沟槽内侧的一部分进行间隙填充，从而使该硬掩模层成为突起；形成覆盖该突起的两侧的间隔壁；使用掺杂的蚀刻阻障层作为蚀刻阻障层来移除间隔壁中的一个；及使用剩余的间隔壁作为蚀刻阻障层来蚀刻该间隙填充层，以形成暴露出该有源区域的一侧的侧沟槽。