授权公布号:CN220604693U
一种背沟道BCE氧化物阵列基板
有效
申请
2023-08-08
申请公布
1970-01-01
授权
2024-03-15
预估到期
2033-08-08
| 申请号 | CN202322117549.6 |
| 申请日 | 2023-08-08 |
| 授权公布号 | CN220604693U |
| 授权公告日 | 2024-03-15 |
| 分类号 | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 分类 | 基本电气元件; |
| 申请人名称 | 华映科技(集团)股份有限公司 |
| 申请人地址 | 福建省福州市马尾区儒江西路6号 |
专利法律状态
2024-03-15
授权
状态信息
授权
摘要
本实用新型提供一种背沟道BCE氧化物阵列基板,从下到上依次包括基板、第一透明导电层、第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层、钝化层以及第二导电透明层,第一透明导电层包括第一ITO层和第一电极,第一金属层与第一ITO层组成栅极;第二金属层包括源极、漏极以及COM信号线;钝化层开设有第一通孔、第二通孔以及第三通孔,第二导电透明层包括第二电极和桥接电极;当第二电极通过第一通孔与漏极连接时,第二电极则为像素电极;桥接电极分别通过第二通孔和第三通孔桥接所述COM信号线和第一电极,则第一电极为COM电极。本实用新型通过优化结构仅利用4枚光罩即可生产出所需高品质金属氧化物整列基板,大大降低了生产成本,提高生产效率。


