本实用新型提供一种GIP驱动前后抗噪电路，涉及GIP电路技术领域。单级GIP单元包括：一薄膜晶体管T4和电容C，T4栅极为节点Q，漏极为Gout输出端；一薄膜晶体管T1，其栅极与STV或Gn‑1信号连接，漏极与Q点连接，源极与FW信号连接；一薄膜晶体管T2，其栅极与Gn+1或RST信号连接，漏极与Q点连接，源极与BW信号连接；一薄膜晶体管T3，其栅极与STV信号连接，源极与Q点连接，漏极与VGL信号和稳压电路连接；一薄膜晶体管T5，其源极和漏极分别与所述薄膜晶体管T3的源极和漏极连接，其栅极与RST信号连接。本实用新型通过增加一TFT器件，并使用现有的STV和RST讯号取代CLR讯号，在减少IC讯号输出的同时提高GIP驱动电路的前后抗噪能力。