半导体装置及其制造方法和显示设备及其制造方法

授权公布号：CN107818987B

有效

申请

2017-09-08

申请公布

2018-03-20

授权

2024-01-16

预估到期

2037-09-08

申请号	CN201710805363.6
申请日	2017-09-08
申请公布号	CN107818987A
申请公布日	2018-03-20
授权公布号	CN107818987B
授权公告日	2024-01-16
分类号	H01L27/12
分类	基本电气元件;
申请人名称	天马微电子股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市龙华区民治街道北站社区留仙大道天马大厦1918

专利法律状态

2024-01-16 授权

状态信息

授权

2019-12-06 专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利申请权的转移；IPC(主分类):H01L27/12；登记生效日:20191118；变更事项:申请人；变更前:天马日本株式会社；变更后:天马微电子股份有限公司；变更事项:地址；变更前:日本神奈川县；变更后:广东省深圳市龙华区民治街道北站社区留仙大道天马大厦1918

2019-04-09 实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/12；申请日:20170908

2018-03-20 公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及半导体装置及其制造方法和显示设备及其制造方法。一种半导体装置，包括：绝缘基板；多晶硅层，其形成在绝缘基板上；第一栅极绝缘层，其形成在多晶硅层上；第一金属层，其形成在第一栅极绝缘层上；氧化物半导体层，其形成在第一栅极绝缘层上；第二栅极绝缘层，其形成在氧化物半导体层上；第二金属层，其形成在第二栅极绝缘层上；第一顶栅平面型薄膜晶体管，其将多晶硅层用作沟道并包括源极、漏极及栅极；以及第二顶栅型薄膜晶体管，其将氧化物半导体层用作沟道并包括源极、漏极及栅极，其中，第一薄膜晶体管的源极和漏极以及第二薄膜晶体管的栅极由第二金属层构成，第一薄膜晶体管的源极或漏极和第二薄膜晶体管的栅极相互电连接。