一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构

授权公布号：CN107942615B

有效

申请

2017-12-22

申请公布

2018-04-20

授权

2024-03-22

预估到期

2037-12-22

申请号	CN201711408786.0
申请日	2017-12-22
申请公布号	CN107942615A
申请公布日	2018-04-20
授权公布号	CN107942615B
授权公告日	2024-03-22
分类号	G03F1/50;G03F1/60
分类	摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2024-03-22 授权

状态信息

授权

2018-05-15 实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G03F1/50；申请日:20171222

2018-04-20 公布

状态信息

公布

摘要

本发明属于电动汽车晶体管技术领域，尤其涉及一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构。其包括IGBT或MOSFET版，所述IGBT或MOSFET版上间隔设置若干列沟槽，所述同一列沟槽重复断开，所述同一列沟槽断开间距0.6um，所述同一列沟槽断开间距的中间设置发射极接触孔，所述发射极接触孔与相邻所述沟槽之间的间距0.2um，相邻两列所述沟槽错位设置并横向连接，相邻两列所述沟槽之间的间距为0.2um。本发明通过沟槽以及发射极接触孔的版图设计使得元胞尺寸缩小，沟道密度增加，从而电流密度大大提高，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小，从而成本降低，同时整个设计的余量也会更加充分。