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公司信息商标信息专利信息
授权公布号:CN113851577B
压电传感器的制作方法
有效
申请
2021-09-23
申请公布
2021-12-28
授权
2024-02-20
预估到期
2041-09-23
申请号 CN202111116189.7
申请日 2021-09-23
申请公布号 CN113851577A
申请公布日 2021-12-28
授权公布号 CN113851577B
授权公告日 2024-02-20
分类号 H10N30/01;H10N30/082
分类 基本电气元件;
申请人名称 业成光电(深圳)有限公司
申请人地址 广东省深圳市龙华区龙华街道富康社区东环二路2号富士康工业园E4栋101(原G2区1栋1层)、民清路北深超光电科技园K2区H3厂房、H1厂房、H7厂房

专利法律状态

2024-02-20 授权
状态信息
授权
2024-01-30 专利申请权、专利权的转移
状态信息
专利申请权的转移;IPC(主分类):H01L41/22;登记生效日:20240112;变更事项:申请人;变更前:业成科技(成都)有限公司;变更后:业成光电(深圳)有限公司;变更事项:地址;变更前:611730 四川省成都市高新区西区合作路689号;变更后:518109 广东省深圳市龙华区龙华街道富康社区东环二路2号富士康工业园E4栋101(原G2区1栋1层)、民清路北深超光电科技园K2区H3厂房、H1厂房、H7厂房;变更事项:申请人;变更前:业成光电(深圳)有限公司 业成光电(无锡)有限公司 英特盛科技股份有限公司;变更后:业成科技(成都)有限公司 英特盛科技股份有限公司
2022-01-14 实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L41/22;申请日:20210923
2021-12-28 公布
状态信息
公布

摘要

一种压电传感器的制作方法包含:形成至少一金属层于至少一基材上;于至少一金属层上依序形成复数个遮罩单元,其中遮罩单元形成遮罩图案;经由遮罩图案蚀刻至少一金属层;以及移除遮罩图案。通过该方法可以节省曝光显影的步骤以及投资于湿式制程机台的成本,以达到节省制造步骤、制造时间以及制造成本的效果。