授权公布号:CN111474200B
制备电子元件显微结构样品的方法
有效
申请
2020-04-16
申请公布
2020-07-31
授权
2023-09-26
预估到期
2040-04-16
| 申请号 | CN202010302228.1 |
| 申请日 | 2020-04-16 |
| 申请公布号 | CN111474200A |
| 申请公布日 | 2020-07-31 |
| 授权公布号 | CN111474200B |
| 授权公告日 | 2023-09-26 |
| 分类号 | G01N23/2251;G01N23/2202;G01N23/2204;G01N1/36;G01N1/32 |
| 分类 | 测量;测试; |
| 申请人名称 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 |
| 申请人地址 | 福建省厦门市湖里区厦门火炬高新区信息光电园坂尚路199号 |
专利法律状态
2023-09-26
授权
状态信息
授权
2020-08-25
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):G01N23/2251;申请日:20200416
2020-07-31
公布
状态信息
公布
摘要
本揭示内容涉及电镜样品的制备,提供了一种制备电子元件显微结构样品的方法,包含:获得电子元件样品,其包含可挠性层;经由预处理电子元件样品而获得经预处理的样品,并且经预处理的样品具有待观测区域与第一刚性层,第一刚性层位于可挠性层的下方,其中,当可挠性层位于电子元件样品的上表面时,预处理是夹埋法;或当可挠性层位于电子元件样品之内时,预处理是包埋法其包含:以树脂包埋电子元件样品;以及以离子抛光处理经预处理的样品而得到一截面样品,其中截面样品具有损伤区域和加工区域,并且在截面样品中,待观测区域位于加工区域内。


