授权公布号:CN111474196B
透射电子显微镜样品制备所产生形变的控制方法
有效
申请
2020-04-16
申请公布
2020-07-31
授权
2024-01-30
预估到期
2040-04-16
| 申请号 | CN202010301565.9 |
| 申请日 | 2020-04-16 |
| 申请公布号 | CN111474196A |
| 申请公布日 | 2020-07-31 |
| 授权公布号 | CN111474196B |
| 授权公告日 | 2024-01-30 |
| 分类号 | G01N23/2005;G01N23/04;G01N23/20;G01N23/20025 |
| 分类 | 测量;测试; |
| 申请人名称 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 |
| 申请人地址 | 福建省厦门市湖里区厦门火炬高新区信息光电园坂尚路199号 |
专利法律状态
2024-01-30
授权
状态信息
授权
2020-08-25
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):G01N23/2005;申请日:20200416
2020-07-31
公布
状态信息
公布
摘要
本揭示内容涉及电镜样品的制备,提供了一种透射电子显微镜样品制备所产生形变的控制方法,包含:提供基于聚焦离子束系统获得置于基底之上的电子元件样品;进行预减薄处理,将电子元件样品减薄至第一厚度其为1.3至1.7微米;第一减薄处理,以一倾转角度和以第一光阑孔将电子元件样品减薄至第二厚度,其中倾转角度为±(0.5度至1.5度),第二厚度为700至900纳米;第二减薄处理,以所述倾转角度和以第二光阑孔将电子元件样品减薄至第三厚度其为250至350纳米;以及第三减薄处理,以所述倾转角度和以第三光阑孔将电子元件样品减薄至第四厚度其小于或等于100纳米;其中,第一光阑孔大于第二光阑孔,第二光阑孔大于第三光阑孔。


