本申请提供了一种可自停止抛光的MRAM器件的制作方法与MRAM器件。该制作方法包括：步骤S1，在衬底的表面上依次叠置设置底电极层和MTJ结构层；步骤S2，去除部分的底电极层以及部分的MTJ结构层，形成底电极以及预MTJ单元；步骤S3，在步骤S2形成的结构的裸露表面上设置第一介电层；步骤S4，对预MTJ单元进行刻蚀，形成MTJ单元，且MTJ单元与第一介电层之间具有凹槽；步骤S5，在步骤S4形成的结构的裸露表面上依次设置抛光阻挡层与第二介电层；步骤S6，至少采用化学机械抛光法去除第一表面所在平面上的第二介电层以及抛光阻挡层，获得平整的表面。该制作方法提高了整片晶圆表面均一性。