授权公布号：CN205428914U
一种高静电耐量的IGBT模块
有效
申请
2016-03-22
申请公布
1970-01-01
授权
2016-08-03
预估到期
2026-03-22
| 申请号 | CN201620221283.7 |
| 申请日 | 2016-03-22 |
| 授权公布号 | CN205428914U |
| 授权公告日 | 2016-08-03 |
| 分类号 | H01L25/07;H01L23/31 |
| 分类 | 基本电气元件; |
| 申请人名称 | 富士电机（中国）有限公司 |
| 申请人地址 | 上海市浦东新区自由贸易试验区富特北路131号3层D部位 |
专利法律状态
2016-08-03
授权
状态信息
授权
摘要
本实用新型涉及一种高静电耐量的IGBT模块，由多个IGBT芯片通过电路桥接封装形成；其中，在每个IGBT芯片的门极和发射极之间连接设置一外置电阻，用以将IGBT芯片中积蓄的静电能量释放。本实用新型能有效提高IGBT芯片的防静电能力，减低门极与发射极因静电破坏的可能性，减少IGBT芯片失效率。
客服微信号
商务合作微信
关注公众号
CopyRight 2005-2025 品牌网 chinapp.com 版权所有