授权公布号:CN208368501U
IGBT模块封装结构及冷却系统
有效
申请
2018-06-13
申请公布
1970-01-01
授权
2019-01-11
预估到期
2028-06-13
| 申请号 | CN201820914473.6 |
| 申请日 | 2018-06-13 |
| 授权公布号 | CN208368501U |
| 授权公告日 | 2019-01-11 |
| 分类号 | H01L25/07;H01L23/367;H01L23/473;H01L23/31 |
| 分类 | 基本电气元件; |
| 申请人名称 | 富士电机(中国)有限公司 |
| 申请人地址 | 上海市普陀区凯旋北路1188号环球港B座26楼 |
专利法律状态
2019-01-11
授权
状态信息
授权
摘要
本实用新型提供了一种IGBT模块封装结构及冷却系统,包括至少一个半桥IGBT模块,所述半桥IGBT模块包括第一焊接层、芯片层、多个端子以及用于实现电路互连的多块金属片,其中,至少一部分所述金属片设置于所述芯片层异于所述第一焊接层的一侧,并与所述芯片层通过面接触的方式连接。通过金属片代替原有绑定线作为连接单元,并采用面接触方式与芯片层连接,能够提高内部芯片向两侧散热单元传热路径的横截面积,提高芯片的散热效率,进而提高器件允许的输出功率;另一方面金属片的使用延续了IGBT封装结构的层叠形式,从而提高了封装结构的空间利用效率,使得封装结构更加紧凑,进而缩小封装模块的整体尺寸。


