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公司信息商标信息专利信息
授权公布号:CN111354687B
一种封装结构及封装结构的制备方法
有效
申请
2018-12-21
申请公布
2020-06-30
授权
2023-12-15
预估到期
2038-12-21
申请号 CN201811571228.0
申请日 2018-12-21
申请公布号 CN111354687A
申请公布日 2020-06-30
授权公布号 CN111354687B
授权公告日 2023-12-15
分类号 H01L23/31;H01L23/52;H01L23/535;H01L21/48
分类 基本电气元件;
申请人名称 深南电路股份有限公司
申请人地址 广东省深圳市南山区侨城东路99号

专利法律状态

2023-12-15 授权
状态信息
授权
2020-07-24 实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L23/31;申请日:20181221
2020-06-30 公布
状态信息
公布

摘要

本发明公开了一种封装结构及封装结构的制备方法,该封装结构包括:线路层;图案层,该图案层固定设置在该线路层上;至少一个电子元件,设置在该线路层上并与该线路层电连接;封装体,设置在该线路层上,并对该图案层和至少一个该电子元件进行埋入封装;其中,该图案层设有对至少一个该电子元件进行定位的靶标图案。通过上述方式,本发明能够提高封装结构的质量。