授权公布号:CN111354687B
一种封装结构及封装结构的制备方法
有效
申请
2018-12-21
申请公布
2020-06-30
授权
2023-12-15
预估到期
2038-12-21
| 申请号 | CN201811571228.0 |
| 申请日 | 2018-12-21 |
| 申请公布号 | CN111354687A |
| 申请公布日 | 2020-06-30 |
| 授权公布号 | CN111354687B |
| 授权公告日 | 2023-12-15 |
| 分类号 | H01L23/31;H01L23/52;H01L23/535;H01L21/48 |
| 分类 | 基本电气元件; |
| 申请人名称 | 深南电路股份有限公司 |
| 申请人地址 | 广东省深圳市南山区侨城东路99号 |
专利法律状态
2023-12-15
授权
状态信息
授权
2020-07-24
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L23/31;申请日:20181221
2020-06-30
公布
状态信息
公布
摘要
本发明公开了一种封装结构及封装结构的制备方法,该封装结构包括:线路层;图案层,该图案层固定设置在该线路层上;至少一个电子元件,设置在该线路层上并与该线路层电连接;封装体,设置在该线路层上,并对该图案层和至少一个该电子元件进行埋入封装;其中,该图案层设有对至少一个该电子元件进行定位的靶标图案。通过上述方式,本发明能够提高封装结构的质量。


