本发明公开了一种混合充电控制装置，包括控制模块和混合拓扑电路，所述混合拓扑电路包括不控整流电路、变换器电路和混合并联器件，所述混合并联器件包括并联的Si IGBT和SiC MOSFET；所述控制模块包括电压环控制单元和电流环控制单元，所述电压环控制单元采用分数阶PI控制策略，所述电流环控制单元采用分数阶预测控制策略。本发明中混合并联器件相比纯Si IGBT和纯SiCMOSFET，具有更低开关损耗、开路冗余能力以及不过高的成本；在成本/性能折衷方面具有极大的优势；同时本发明对传统整数阶控制方案进行改进，可以显著提升Si IGBT/SiC MOSFET混合PFC电路交流侧功率因数和电能质量以及直流侧电压精度和动态特性。