授权公布号:CN108447949B
一种链式扩散工艺及链式扩散设备
有效
申请
2018-05-18
申请公布
2018-08-24
授权
2024-01-26
预估到期
2038-05-18
| 申请号 | CN201810478127.2 |
| 申请日 | 2018-05-18 |
| 申请公布号 | CN108447949A |
| 申请公布日 | 2018-08-24 |
| 授权公布号 | CN108447949B |
| 授权公告日 | 2024-01-26 |
| 分类号 | H01L31/18;C30B31/06 |
| 分类 | 基本电气元件; |
| 申请人名称 | 常州亿晶光电科技有限公司 |
| 申请人地址 | 江苏省常州市金坛区尧塘镇金武路18号 |
专利法律状态
2024-01-26
授权
状态信息
授权
2018-10-02
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L31/18;申请日:20180518
2018-08-24
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供的一种链式扩散工艺及链式扩散设备,解决链式扩散后得到的p‑n结表面磷浓度高、结深浅,表面少子复合几率增加、结区漏电严重的问题和硅片基体内存在的杂质容易形成符合中心,体内复合几率增加的问题,在太阳能电池片生产的扩散工序中,使p‑n结表面磷表面浓度降低,结深得到增加,减小表面少子复合和结区漏电情况,并对对硅片基体内杂质进行吸杂,降低体内复合几率。


