本发明公开了一种多晶硅锭的制备方法，包括：提供铸锭炉，铸锭炉包括坩埚和隔热笼；在坩埚底部铺设籽晶，籽晶之间留有缝隙，形成籽晶层；在籽晶层上方填装硅料；加热使坩埚底部的温度上升，待籽晶表面开始熔化形成熔融液时，开启隔热笼并提升隔热笼的高度，以降低坩埚底部温度，熔融液填充在籽晶之间的缝隙中并凝固，得到致密的籽晶层，继续加热使硅料熔化形成硅熔体；待硅料熔化后形成的固液界面刚好处在或深入致密的籽晶层时，调节热场形成过冷状态，使硅熔体在籽晶层基础上开始长晶；待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。本发明在致密的籽晶层上形核结晶，可以避免杂质渗透到籽晶中，同时形核容易控制，得到的多晶硅锭质量较好。