本发明提供了一种籽晶的铺设方法，用于铸造类单晶，包括以下步骤：提供坩埚，在坩埚底部铺设第一硅材料，所述第一硅材料铺满所述坩埚底部形成第一保护层；然后在所述第一保护层上铺设籽晶，形成籽晶层；再在所述籽晶层上铺设第二硅材料，形成第二保护层。通过铺设第一保护层和第二保护层来保护籽晶，第一保护层阻隔坩埚底部杂质扩散，第二保护层阻隔硅料及坩埚中杂质气氛的杂质扩散，这二层保护层保护所述籽晶避免受到杂质的污染。本发明还提供了一种类单晶硅片及其制备方法。本发明提供的类单晶硅片位错较少、少子寿命较高，适用于制备太阳能电池，制得的太阳能电池光电转换效率高。