本发明提供了一种铸锭过程中去除多晶硅杂质的方法，包括以下步骤：(1)提供铸锭炉，铸锭炉中包括坩埚、加热器和隔热笼，在坩埚中填装硅料，加热使硅料全部熔化形成硅液；(2)调节加热器的温度，使坩埚顶部的温度降低至硅熔点附近，然后保温2‑5h；(3)保温结束后，开启隔热笼并提升隔热笼的高度，以降低坩埚底部温度，使坩埚底部的硅液以第一长晶速度进行长晶，第一长晶速度为2‑3cm/h；(4)长晶1‑2h后，降低隔热笼的高度，使硅液以第二长晶速度继续长晶，第二长晶速度为1‑2cm/h且第二长晶速度小于第一长晶速度，待全部硅液结晶完后，经退火冷却得到多晶硅。本发明提供的方法，在硅料熔化后进行保温，然后进行快速形核结晶，提纯效率高，提纯成本较低。