授权公布号:CN106591942B
多晶硅铸锭用坩埚及其制备方法和多晶硅锭及其制备方法
有效
申请
2016-12-30
申请公布
2017-04-26
授权
2019-06-11
预估到期
2036-12-30
| 申请号 | CN201611259281.8 |
| 申请日 | 2016-12-30 |
| 申请公布号 | CN106591942A |
| 申请公布日 | 2017-04-26 |
| 授权公布号 | CN106591942B |
| 授权公告日 | 2019-06-11 |
| 分类号 | C30B28/06;C30B29/06 |
| 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 申请人名称 | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 申请人地址 | 江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室 |
专利法律状态
2019-06-11
授权
状态信息
授权
2017-05-24
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效IPC(主分类):C30B 28/06申请日:20161230
2017-04-26
公布
状态信息
公开
摘要
本发明提供了一种多晶硅铸锭用坩埚,包括坩埚本体和掺杂层,坩埚本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁,掺杂层附着在距底座第一高度和第二高度之间的侧壁的内表面上,第一高度为坩埚内预填装硅料熔化后形成的熔融硅液液面距坩埚本体底座的高度,第二高度为所述熔融硅液全部转变为固态硅锭时硅锭上表面距坩埚本体底座的高度,掺杂层的材料包括石英棉或碳纤维和负载在石英棉或碳纤维中的掺杂材料,掺杂材料包括第一掺杂剂,第一掺杂剂包括P型掺杂元素和N型掺杂元素中的任一种和/或锗元素;第一掺杂剂在坩埚内的预填装硅料中的初始原子体积浓度为1×1013‑7×1018atoms/cm3。本发明提供的坩埚,可有效降低坩埚侧壁传热的速度,降低掺杂层的温度,避免第一掺杂剂提前熔化。


