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公司信息商标信息专利信息
授权公布号:CN113564695B
用于铸造单晶硅的籽晶铺设方法、单晶硅锭及其铸造方法
有效
申请
2020-04-29
申请公布
2021-10-29
授权
2023-05-05
预估到期
2040-04-29
申请号 CN202010354039.9
申请日 2020-04-29
申请公布号 CN113564695A
申请公布日 2021-10-29
授权公布号 CN113564695B
授权公告日 2023-05-05
分类号 C30B15/36;C30B15/10;C30B29/06;C30B33/02
分类 晶体生长〔3〕;
申请人名称 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址 江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室

专利法律状态

2023-05-05 授权
状态信息
授权
2021-10-29 公布
状态信息
公布

摘要

本发明提供了一种铸造单晶硅的籽晶铺设方法,包括:提供坩埚,在所述坩埚底部间隔铺设上下表面平整的垫片,形成垫片层;在所述垫片层上铺设至少一个支撑片,以形成覆盖所述垫片及其之间空隙的支撑片层;依次交替设置所述垫片层和支撑片层,以形成(AB)n排布形式的架空结构,其中,A为垫片层,B为支撑片层,n为大于或等于1的整数;在所述架空结构上铺设单晶硅籽晶,形成籽晶层。通过在籽晶层上设置价格便宜的架空结构,可以减少所用籽晶的数量、降低单晶硅的铸造成本,并降低所得单晶硅锭的尾部红区。本发明还提供了一种单晶硅锭及其铸造方法。