本发明提供了一种籽晶铺设方法，用于铸造晶体硅，包括以下步骤：提供坩埚，在坩埚底部形成第一籽晶层；然后在第一籽晶层上铺设硅块，形成第二籽晶层，相邻两硅块之间留有宽度不小于1cm的缝隙，第一籽晶层和第二籽晶层构成籽晶层，籽晶层在垂直于坩埚底部的方向上没有贯通的缝隙。通过在第一籽晶层上设置第二籽晶层，在熔化阶段硅熔体不会熔到拼接缝处开始引晶，这样晶体硅不会受到拼接缝的影响；且第二籽晶层的硅料之间的缝隙宽度较大，在铸造类单晶过程中，硅熔体在该缝隙中凝固不会产生的较大的生长应力，也不会在缝隙中积聚分凝的杂质，因此可以减少位错的产生。制备得到的晶体硅位错较少，少子寿命较高，性能较好。