本发明提供了多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：在坩埚底部设置形核源，形成形核源层；在所述形核源层上设置熔融状态的硅料；控制所述坩埚内的温度沿垂直与所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料利用所述形核源形核结晶，制得多晶硅锭。本发明还提供了通过该制备方法获得的高质量的多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚。该制备方法制得的多晶硅锭晶粒大小均匀、规则、位错密度低且无明显的枝晶和孪晶。