本发明提供了一种多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：(1)在坩埚底部铺设籽晶，形成籽晶层；(2)在籽晶层上方设置阻挡层，阻挡层的熔点小于等于硅的熔点；(3)在阻挡层上方填装硅料，加热使硅料熔化形成硅熔体，硅料熔化过程中，阻挡层用于阻挡硅熔体与籽晶层接触，待硅料和阻挡层完全熔化后形成的固液界面刚好处在或深入籽晶层时，调节热场形成过冷状态，使硅熔体在籽晶层基础上开始长晶；(4)待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。本发明通过在籽晶层上方设置阻挡层，籽晶的形核界面位错得到减少，可以减少后续晶体生长过程中的位错增殖，从而提高了多晶硅铸锭整锭的质量，实现了铸锭硅片所制多晶硅电池效率的提高。