本发明涉及一种用于制备包括至少一个全单晶半导体层的半导体材料的方法，该方法包括以下步骤：（i）预处理第一衬底的表面以容纳单晶硅层；（ii）在步骤（i）中获得的单晶硅层上，使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD），通过具有生长速率梯度的外延生长来沉积单晶硅层；以及（iii）在步骤（ii）中获得的单晶硅层上外延生长半导体材料的单晶层，由此获得包括至少一个全单晶半导体层的材料。本发明还涉及一种多层材料，该多层材料包括半导体材料的单晶层。