本实用新型涉及单晶生长技术领域，公开一种碳化硅炉控压真空系统。该碳化硅炉控压真空系统包括：真空炉，真空炉具有用于晶体生长的炉膛；进气装置，进气装置与炉膛连接，用于为炉膛通入气体；抽气装置，抽气装置与炉膛连接，用于抽出炉膛内的气体；检测装置，检测装置用于检测炉膛内的气压。根据检测装置所得结果，通过进气装置与抽气装置对真空炉内压力进行联合控制，保证在不同阶段控制炉内压力始终有利于晶体生长，最终得到良率更高的碳化硅晶体。