本实用新型涉及半导体材料SiC的生产设备技术领域，公开了一种碳化硅生产设备，包括：炉体，炉体内设有用于放置坩埚的容置空间；套设于炉体外周侧的加热线圈；与加热线圈连接、且用于驱动加热线圈沿其中心轴线的延伸方向动作的驱动装置。该碳化硅生产设备中，加热线圈在驱动装置的驱动下可以在炉体外周侧上下移动，并对炉体进行加热，使炉体内的碳化硅在长晶过程中在竖直方向形成更好的温度梯度，有利于提高成晶率，提高晶体品质。