本发明提供了一种磁通门芯片的制备方法，属于磁通门传感器技术领域，包括：首先选取两片高阻硅片，其中一片表面电镀铁磁芯，另一片表面开设铁磁芯腔，然后两片高阻硅片上下键合，接着在两片高阻硅片的相对一侧表面分别开设线圈槽、通槽以及电极窗口，形成硅片模具，最后在硅片模具表面填充合金。本发明提供的一种磁通门芯片的制备方法，通过电镀，后键合，最后刻蚀，一方面，使得形成的磁通门芯片的厚度较薄，并满足足够的强度，另一方面能够实现磁通门芯片的大规模批量生产，提高工作效率，降低生产成本。