本发明涉及电子元件技术领域，特别是指一种提高金刚石基薄膜电阻附着力的方法，包括以下步骤：S1、将CVD金刚石衬底进行研磨抛光处理；S2、然后再在感应耦合等离子体设备中进行氮等离子体轰击，以去除CVD金刚石表面吸附的氧原子并在晶格中并入氮原子，使其表面形成氮终端；S3、接着在CVD金刚石衬底上使用溅射方式制备TaN电阻薄膜；S4、最后进行真空原位退火处理。本发明的方法有效提高金刚石基底与TaN薄膜的附着力，具有化学性质稳定、界面导热率高、结合力强、附着力强等特点，可保障薄膜电阻元器件在高功率、高频率工况下长时间稳定工作，该方法可使其广泛应用于精度要求高的高端芯片和薄膜器件中。