本发明提供的一种采用细粒银箔进行低压固态键合的方法及键合结构，解决现有技术中芯片连接条件存在机械性能差、孔隙率大、影响芯片连接质量的技术问题。包括如下步骤：（1）制备细粒银箔：采用冷轧和多次退火的方法生产银箔，消除了残余应力和织构，获得良好的显微组织，具体为：在真空下，将银锭熔化成银丸，进行冷轧和退火处理，在每次轧制运行中，降低70％银箔的厚度，退火温度为250℃‑350℃，制得厚度为50μm‑100μm的细粒银箔；（2）固态原子键合连接；在真空中，以步骤（1）制备的细粒银箔为粘结介质，键合结构从上至下依次为：金属化硅片、所述细粒银箔和铜基片，进行固态键合连接。可广泛应用于微电子封装技术领域。