授权公布号:CN110004425B
卷绕式离子增强型磁控光学氧化硅镀膜装置及方法
有效
申请
2019-04-12
申请公布
2019-07-12
授权
2020-05-15
预估到期
2039-04-12
| 申请号 | CN201910292302.3 |
| 申请日 | 2019-04-12 |
| 申请公布号 | CN110004425A |
| 申请公布日 | 2019-07-12 |
| 授权公布号 | CN110004425B |
| 授权公告日 | 2020-05-15 |
| 分类号 | C23C14/56;C23C14/35;C23C14/10 |
| 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 申请人名称 | 肇庆市科润真空设备有限公司 |
| 申请人地址 | 广东省肇庆市端州一路南侧(市财贸学校对面) |
专利法律状态
2020-05-15
授权
状态信息
授权
2019-08-06
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/56
2019-07-12
公布
状态信息
公开
摘要
本发明公开一种卷绕式离子增强型磁控光学镀膜装置及方法,其装置包括旋转辊和至少一个镀膜室,沿基材输送方向,镀膜室后方设有氧化室和磁铁组件,氧化室和磁铁组件相对设于旋转辊的两侧;氧化室内设有进气管,进气管与旋转辊之间连接有电池。其方法是基材先经过镀膜室,在纯硅靶的作用下镀上氧化硅膜层;然后再经过氧化室,氧化室中的氧气分子和氩气分子在电场和磁场的作用下产生大量氧离子,且氧离子在电场的作用下高速射向氧化硅膜层内部,对氧化硅膜层中夹杂的纯硅进行氧化。本发明是在基材镀完氧化硅后,通过增加氧离子密度来加强膜层的氧化效果,从而提高膜层中氧化硅的纯度和膜层透明度,进而提高膜层的光学性能。


