一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法

授权公布号：CN114085398B

一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法

有效

申请

2021-11-17

申请公布

2022-02-25

授权

2024-02-06

预估到期

2041-11-17

申请号	CN202111364531.5
申请日	2021-11-17
申请公布号	CN114085398A
申请公布日	2022-02-25
授权公布号	CN114085398B
授权公告日	2024-02-06
分类号	C08J5/18;C08J9/26;C08L79/08
分类	有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物;
申请人名称	安徽国风新材料股份有限公司
申请人地址	安徽省合肥市高新区铭传路1000号

2024-02-06 授权

状态信息

授权

2024-01-26 著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):C08J5/18；变更事项:申请人；变更前:安徽国风塑业股份有限公司；变更后:安徽国风新材料股份有限公司；变更事项:地址；变更前:230000 安徽省合肥市高新区铭传路1000号；变更后:230000 安徽省合肥市高新区铭传路1000号

2022-03-15 实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C08J5/18；申请日:20211117

2022-02-25 公布

状态信息

公布

本发明公开了一种低介电聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括：将PEG/聚酰胺酸混合溶液流延成膜，得到自支撑膜，然后将所述自支撑膜经过热亚胺化和双向拉伸，即得。本发明制得的聚酰亚胺薄膜具有高强度、高耐折、高耐温性能，可以长期使用不被损坏，有利于保持信号的传输稳定性，节约成本。