高导电碳纳米管薄膜的制备方法及装置

授权公布号：CN102994980B

高导电碳纳米管薄膜的制备方法及装置

有效

申请

2012-12-13

申请公布

2013-03-27

授权

2015-01-14

预估到期

2032-12-13

申请号	CN201210539154.9
申请日	2012-12-13
申请公布号	CN102994980A
申请公布日	2013-03-27
授权公布号	CN102994980B
授权公告日	2015-01-14
分类号	C23C16/448;C23C16/26;C01B31/02;B82Y30/00;B82Y40/00
分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
申请人名称	苏州汉纳材料科技有限公司
申请人地址	江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区07栋102室

专利法律状态

2016-02-10 专利权人的姓名或者名称、地址的变更

状态信息

专利权人的姓名或者名称、地址的变更；IPC(主分类):C23C16/448；变更事项:专利权人；变更前:苏州汉纳材料科技有限公司；变更后:苏州汉纳材料科技有限公司；变更事项:地址；变更前:215125 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4-508；变更后:215125 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区07栋102室

2015-01-14 授权

状态信息

授权

2013-04-24 实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C23C16/448；申请日:20121213

2013-03-27 公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种高导电碳纳米管薄膜的制备方法及装置。本发明是利用浮动催化裂解法在高温下制备碳纳米管气溶胶，并将所述碳纳米管气溶胶导入封闭空腔内，以及，在与所述封闭空腔上开设的狭缝的对应位置设置基底，并以定向磁场诱导所述封闭空腔内的碳纳米管穿过所述狭缝，并定向沉积到基底上，形成高导电碳纳米管薄膜。本发明可以实现高性能碳纳米管薄膜的大面积、连续、低成本、高效的制备，并且在基材透光率约92%的情况下，所述高导电碳纳米管薄膜的透光率可高达88%，面阻可低至100Ω/□。