本发明公开了硅碳负极补锂极片的制备方法，所述方法包括将锂粉、硅粉、碳源及导电剂在超临界流体的氛围中保护分散制备成补锂混合物，负极活性物质、补锂物质及导电剂的配比及分散工艺；在负极集流体上涂布负极浆料,得到负极极片。本发明制备方法中，补锂混合物在超临界流体氛围中，减少了团聚发生，提高了浆料的加工稳定性，对比普通补锂工艺制备的极片，电导率提高近两倍。