一种蚀刻液_专利查询-品牌网

授权公布号：CN114182259B

一种蚀刻液

有效

申请

2021-12-10

申请公布

2022-03-15

授权

2024-02-23

预估到期

2041-12-10

申请号	CN202111505637.2
申请日	2021-12-10
申请公布号	CN114182259A
申请公布日	2022-03-15
授权公布号	CN114182259B
授权公告日	2024-02-23
分类号	C23F1/18;C23F1/26;C23F1/44
分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
申请人名称	TCL华星光电技术有限公司
申请人地址	广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

专利法律状态

2024-02-23 授权

状态信息

授权

2022-04-01 实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C23F1/18；申请日:20211210

2022-03-15 公布

状态信息

公布

摘要

一种蚀刻液，包括以下组分：12～22％质量百分比的过氧化氢；0.5～4％质量百分比的鳌合剂；0.1～2.5％质量百分比的蚀刻抑制剂；0.1～5％质量百分比的蚀刻剂；0.01～2％质量百分比的除残剂；以及溶剂，所述蚀刻剂在不需要增加氟含量的情况下即可大面积地蚀刻多层结构的铜/钼金属膜层，不仅能够抑制铜金属在绝缘膜扩散的现象，还能有效地去除钼金属残留物，所述蚀刻液的性质稳定，蚀刻速率适中且蚀刻轮廓良好，能够有效提升产品的良率。