本申请涉及太阳能电池领域，具体涉及单晶太阳能电池制备，提供一种单晶太阳能电池制备设备，其使用激光设备进行PN结以及选择性发射极的制备，避免使用气相的扩散炉，通过激光的方式，在同一步骤内，形成掺杂的PN结的同时，形成对应选择性发射极位置的重掺杂区，本申请通过激光处理形成PN结和选择性发射极，激光处理包括两种能量的激光，一种激光能量用于扩散形成PN结，使用另外一种激光能量形成重掺杂区域，对应栅线区域形成选择性发射极，该方法中无需使用气体扩散炉，并且通过在一个激光处理腔室内形成电池片结构PN结及重掺杂区，进一步地通过化学气相沉积制备一层，使相关掺杂效率更高。