一种双层减反膜晶体硅太阳能电池的制备方法

公司信息专利信息

授权公布号：CN103199154B

有效

申请

2013-03-22

申请公布

2013-07-10

授权

2016-06-01

预估到期

2033-03-22

申请号	CN201310093925.0
申请日	2013-03-22
申请公布号	CN103199154A
申请公布日	2013-07-10
授权公布号	CN103199154B
授权公告日	2016-06-01
分类号	H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068
分类	基本电气元件;
申请人名称	浙江正泰太阳能科技有限公司
申请人地址	浙江省嘉兴市海宁市尖山新区吉盛路1号

专利法律状态

2024-01-02 专利权人的姓名或者名称、地址的变更

状态信息

专利权人的姓名或者名称、地址的变更；IPC(主分类):H01L 31/18；专利号:ZL2013100939250；变更事项:专利权人；变更前:正泰新能科技有限公司；变更后:正泰新能科技股份有限公司；变更事项:地址；变更前:314417 浙江省嘉兴市海宁市尖山新区吉盛路1号；变更后:314417 浙江省嘉兴市海宁市尖山新区吉盛路1号

2022-06-24 专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):H01L31/18；登记生效日:20220610；变更事项:专利权人；变更前:浙江正泰太阳能科技有限公司；变更后:正泰新能科技有限公司；变更事项:地址；变更前:310053 浙江省杭州市滨江区滨安路1335号；变更后:314417 浙江省嘉兴市海宁市尖山新区吉盛路1号

2020-05-01 专利实施许可合同备案的生效、变更及注销

状态信息

专利实施许可合同备案的生效；IPC(主分类):H01L31/18；合同备案号:X2020990000163；让与人:浙江正泰太阳能科技有限公司；受让人:海宁正泰新能源科技有限公司；发明名称:一种双层减反膜晶体硅太阳能电池的制备方法；申请日:20130322；申请公布日:20130710；授权公告日:20160601；许可种类:普通许可；备案日期:20200403

2016-06-01 授权

状态信息

授权

2013-08-07 实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L31/18；申请日:20130322

2013-07-10 公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种双层减反膜晶体硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：在硅片的正面形成绒面；在所述硅片正面形成P扩散层，然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层；在所述硅片正面形成第一减反膜；在所述第一减反膜上形成第二减反膜；在所述硅片背面形成背电极和铝背场；在所述硅片正面形成正电极；在上述步骤执行过程中，向所述硅片、第一减反膜或第二减反膜中的一个或多个进行氢基团扩散。本发明提供的太阳能电池的制备方法可以有效提高太阳能电池的光电转换效率。